Kai Siegbahn

Wikipediasta
Siirry navigaatioon Siirry hakuun
Kai Siegbahn
Kai Manne Börje Siegbahn.jpg
Henkilötiedot
Syntynyt 20. huhtikuuta 1918
Lund, Ruotsi
Kuollut 20. heinäkuuta 2007
Ängelholm, Ruotsi
Kansalaisuus Ruotsi ruotsalainen
Koulutus ja ura
Tutkinnot Tukholman yliopisto
Instituutti Tukholman yliopisto
Uppsalan yliopisto
Tutkimusalue fysiikka
Tunnetut työt Korkea tarkkuuksinen elektronispektroskopian kehittäminen
Palkinnot Nobel-palkinto Nobelin fysiikanpalkinto (1981)

Kai Manne Börje Siegbahn (20. huhtikuuta 191820. heinäkuuta 2007) oli ruotsalainen fyysikko. Siegbahnille, Arthur Schawlowille ja Nicolaas Bloembergenille myönnettiin Nobelin fysiikanpalkinto vuonna 1981 korkearesoluutioisen elektronispektroskopian kehittämisestä. Siegbahn työskenteli aktiivisesti Ångström-laboratoriossa, Uppsalan yliopistossa.

Elämäkerta[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Kai Siegbahn syntyi vuonna 1918 Lundissa, Ruotsissa. Hän oli Nobelin fysiikanpalkinnon voittaneen Karl Manne Siegbahnin sekä Karin Högbomin poika.[1] Siegbahn kävi Uppsalan lukiota ja jatkoi opiskelua Uppsalan yliopistossa sekä Tukholman yliopistossa. Siegbahn väitteli Tukholman yliopistossa filosofian tohtoriksi vuonna 1944.

Siegbahn sai fysiikan professuurin Kuninkaallisesta teknillisestä korkeakoulusta vuonna 1951 ja kolme vuotta myöhemmin siirtyi Uppsalan yliopistoon, jossa hän toimi professorina vuonna 1984 tapahtuneeseen eläköitymiseensä asti.[2]

Siegbahn solmi avioliiton Anna Brita Rhedinin kanssa 23. toukokuuta vuonna 1944. Suhteeseen syntyi kolme poikaa: Per (1945), Hans (1947) ja Nils (1953).[1]

Tieteellinen ura[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Nobel-palkitussa työssään Siegbahn luo pohjan niin sanotulle XPS-tekniikalle (käytetään myös lyhennystä ESCA) sekä kehitti tarvittavia hienostuneita instrumentteja käyttötarkoitusta varten.[2] XPS perustuu pohjimmiltaan valosähköiseen ilmiöön, jossa elektroneja emitoituu, kun metalleihin kohdistetaan tarpeeksi suuri taajuista sähkömagneettista säteilyä. Siegbahnin saavutus oli se, että hän kehitti menetelmän, jonka avulla pystytään mittaamaan emitoituneiden elektronien energia, joka on kullekin alkuaineelle ominainen. XPS mahdollistaa vetyä ja heliumia lukuun ottamatta aineiden pintakerrosten alkuainejakauman analysoinnin 0,1 atomiprosentin pitoisuuksiin saakka. XPS ei vaurioita tutkittavaa näytettä ja se soveltuu johteiden, puolijohteiden sekä eristemateriaalien tutkimukseen. XPS:n avulla voidaan erottaa pinnan kemiallisen koostumuksen lisäksi myös pinnalla olevat yhdistemuodot, kuten esimerkiksi fluorin ioniset ja kovalenttiset sidokset.[3]

Lähteet[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

  1. a b Kai M. Siegbahn NNDB.com. Viitattu 20.10.2007. (englanniksi)
  2. a b Kai Manne Börje Siegbahn Encyclopaedia Britannica. Viitattu 20.10.2007. (englanniksi)
  3. Valden, Mika: XPS/ESCA: Röntgenviritteinen fotoelektronispektroskopia. akseli.tekes.fi. Viitattu 20.10.2007.

Aiheesta muualla[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]