Grafeeni

Wikipedia
Loikkaa: valikkoon, hakuun
Grafeeni koostuu yhdestä kerroksesta toisiinsa sitoutuneita hiiliatomeja

Grafeeni on vuonna 2004 löydetty hiilen allotrooppinen muoto, joka koostuu yhdestä kerroksesta toisiinsa sitoutuneita sp2-hybridisoituneita hiiliatomeja. Grafeeni on tällä hetkellä maailman kestävin tunnettu aine. Se on myös erittäin valoaläpäisevää, ja johtaa hyvin lämpöä ja sähköä. Grafeenia on suomeksi toisinaan kutsuttu myös "grafiiniksi", ilmeisesti englannin graphene-sanan ääntämyksen vaikutuksesta.

Se on eräiden muiden hiiliallotrooppien perusrakenne: grafiitti on monta grafeenikerrosta päällekkäin ja hiilinanoputket rullalle kiertynyttä grafeenia. Fullereenit voidaan ajatella grafeeniksi, jonka rakenteessa on kuusikulmioiden seassa viisikulmioita. [1]

Grafeenista valmistetulla transistorilla on päästy sadan gigahertsin kytkentänopeuteen.[2]

Teoriassa grafeenia on arveltu olevan jo vuosikymmeniä, mutta se löydettiin vasta vuonna 2004. Ruotsin Nobel-komitea myönsi vuoden 2010 Nobelin fysiikanpalkinnon Andre Geimille ja Konstantin Novoseloville "uraauurtavista kokeista kaksiulotteisen materiaalin grafeenin parissa".[3][4]

Grafeenin ainutlaatuisten ominaisuuksien johdosta se on yksi tämän hetken tutkituimmista aineista materiaalitekniikassa.

Historia[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Teoreettisessa fysiikassa oli 1930-luvulla päätelty, että vain yhden atomikerroksen paksuiset rakenteet eivät voi olla pysyviä. Atomien lämpöliikkeen arveltiin hajottavan tällaiset rakenteet. Hyvin ohuista rakenteista on myös tehty paljon kokeita ja tämä alkuperäinen päättely on tähän asti näyttänyt pitävän paikkansa. Kun kokeissa materiaaleja tarpeeksi ohennettiin, ne hajosivat.[5]

Grafeenin teoreettinen ja käytännön olemassaolo grafiitin sisäisen rakenteen osana on tunnettu jo pitkään ennen grafeenin löytämistä itsenäisenä rakenteena 2004. Röntgenkristallografian avulla aineiden rakennetta atomien mittakaavassa oli tutkittu ja ensimmäisiä kuvia hiiliatomien eri muodoista oli julkaistu vuonna 1938. Yhden atomin paksuisten pintojen teoreettista tutkimusta ovat tehneet mm. fyysikko Philip Russel Wallace ja kemisti Hanns-Peter Boehm. Näiden tutkimusten pohjalta grafiitin sisäinen rakenne tunnettiin. Boehm keksi sanan "grafeeni" jo vuonna 1962 kuvaamaan teoreettisesti mahdollisia yksiatomisia lakanoita. Ei kuitenkaan pidetty mahdollisena eristää tällaisia yksiatomisia tasoja toisista niin, että niiden rakenne säilyisi vakaana. [6] Grafeenin mekaaninen kuorintamenetelmä kehitettiin 1990-luvulla, mutta silloin grafeenia saatiin eristettyä vain 50–100 kerroksen paksuisiksi näytteiksi. [7] Kun grafeeni löydettiin, aikaisempien kokeiden ja ennakkokäsitysten vastaisesti yhden atomitason paksuinen rakenne onnistuttiin eristämään itsenäiseksi pysyväksi hiilikalvoksi. Se oli ensimmäinen yhden atomikerroksen paksuinen materiaali. [6][8]

Grafiittikappale, teippirulla ja grafeenitransistori jotka Geim ja Novoselev lahjoittivat Nobel-museoon.

Grafeenin löysivät Manchesterin yliopiston tutkijat Konstantin Novoselov ja Andre Geim. He yrittivät eri menetelmin ohentaa grafiittia. Alunperin heidän tutkimuksensa oli työviikon lopuksi tehtävää mielikuvituksellista hassuttelua. Heidän kokeissa käyttämänsä välineet olivat varsin tavanomaisia: ensin he koettivat erottaa grafeenia tavallisesta noesta, joka on hyvin hiilipitoinen aine. Toisessa kokeessa he käyttivät lyijykynän piikiteen pintaan jättämää grafiittijälkeä. Kolmannessa kokeessa he irrottivat grafiittia teipin liimapinnan avulla grafiittisesta kappaleesta. Teippi irrotti grafiittia kappaleesta ohueksi kalvoksi teippiin. Toisella teipillä he irrottivat tästä ohuesta kalvosta toisen, vielä ohuemman, kalvon. Tätä idea jatkaen he pääsivät varsin yksinkertaisin keinoin hyvin ohuisiin grafiittikalvoihin. Tutkijat onnistuivat löytämään keinon kalvojen tarkan paksuuden määrittämiseen optisella mikroskoopilla. Näistä ohuista kalvoista he saivat kemiallisilla lisäkeinoilla lopulta ohennettua grafiitin yksittäisiksi yhden atomin paksuisiksi hiilikalvoiksi. [5][6] Vuonna 2010 Geim ja Novoselov saivat grafeenin löytämisestä Nobelin fysiikanpalkinnon.

Rakenne ja ominaisuudet[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Grafeeni on yhden atomikerroksen paksuista mikroskooppista mehiläiskennoston poikkileikkausta muistuttavaa materiaalia. Grafeeni on erikoinen sen sp2-hybridisaation takia, sekä sen atomien koon takia. Nämä ominaisuudet mahdollistavat grafeenin erityisen vahvuuden, sähkön- ja lämmönjohtavuuden. [9] Grafeenin hiili–hiili-sidoksen pituus on noin 0,142 nanometriä ja se kuljettaa elektroneja sähkövirtana häiriöittä nanometrien levyisissä johtimissa. Elektronien liike on suhteellisen vapaata.  Grafeeni ei ole myöskään kovin magneettinen. Teoriassa puhtaan grafeenisirun sähkönjohtavuus on noin sata kertaa nopeampaa kuin piijohteissa. Grafeeni on epävakaata pienessä koossa, käyristettynä tai rullattuna. Grafeeni tulee vakaaksi noin 24000 atomin kokoisena hiutaleena eristettynä ympäristöstään. Eristettynä grafeenin on mitattu olevan 200 kertaa terästä kestävämpää. Grafeeni on kierrätettävää ja myrkytöntä, joten se voi korvata laitteissa myrkyllisiä metalleja, kuten kadmium ja lyijy. Isompana lakanana grafeeni säilyy ehjänä ja se on lähes läpinäkyvää, ympäristöystävällistä materiaalia.[6]

Fysikaaliset ominaisuudet[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Grafeenin yksi hyödyllisimmistä ominaisuuksista on sen sähkönjohtavuus. Sähkönjohtavuus johtuu siitä, että elektronit pääsevät kulkemaan erittäin vapaasti grafeenissa. Kun elektronit kulkevat grafeenin hunajakennomuodostelman läpi, ne käyttäytyvät lähes massattomasti. Niiden käyttäytymistä kuvataan Diracin yhtälöllä, eikä Schrödingerin yhtälöllä, niin kuin elektroneja yleensä. [10][11] Tasainen grafeenilevy on epävakaa, koska se saavuttaisi alemman energiatason taipumalla hiilinanoputkeksi.

[12] Toinen grafeenin hyödyllisistä ominaisuuksista on sen suuri vetolujuus. Vahvojen 0,142nm pitkien hiilisidoksien ansiosta grafeeni on vahvin löydetty aine. Sen vetolujuus on 130 000 000 000 pascalia. Luotiliiveissä käytettävällä kevlarilla on vetolujuus vain 375 700 000 pascalia. Grafeenin vahvuuden lisäksi se on erittäin kevyttä (0,77mg/m2). Paperi on n. 100 kertaa painavampaa.[9] Grafeeni pystyy absorboimaan yllättävän paljon, 2,3 %, valkoista valoa. Grafeenin absorboimiskyky on mielenkiintoinen ominaisuus yhden atomin paksuiselle levylle. Absorboimiskyky johtuu elektronien lähes-massattomuudesta. Toisen grafeenikerroksen lisääminen lisää absorbtiota lähes saman verran. [9]

3. Valmistusmenetelmät[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Geimin ja Nosolevin käyttämä tekniikka tuotti noin 0,1 neliömillimetrin halkaisijan kokoisia grafeenihiutaleita. Ne ovat riittävän kookkaita tutkimuskäyttöön mutta eivät vielä käytännön sovellutuksiin.[5] Geimin ja Nosolevin keksinnön ympärille Manchesteriin perustettiin yhtiö, Graphene Industries, joka valmistaa ja myy grafeenisia kalvoja. Valmistus tehdään puhdastiloissa.

Grafeeni on poikkeuksellisten ominaisuuksiensa vuoksi tällä hetkellä fysiikan tutkituimpia materiaaleja. Pieniä hiutaleita suurempia grafeenipintoja on pystytty tuottamaan 2010-luvulla. Suurin tuotettu grafeenikalvo on noin 70 senttiä leveä. Vuonna 2010 grafeenia sai tuhannella dollarilla neliösentin kokoisen liuskan, ja vuonna 2014 grafeenia saa 4” kiekon hintaan 650e. Hintojen odotetaan kuitenkin nopeasti laskevan kun tuotantomenetelmät kehittyvät. [6]

3.1. Atomivoimamikroskooppi[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Grafeenia voi valmistaa atomivoimamikroskoopin avulla: sillä voidaan raaputtaa grafiitin hiutaleella piilevyä. Tämä "piirtäminen" nano-kokoisella ”kynällä” jättää levyyn pieniä grafeeniläiskiä. Jälki on lähes valmista grafeenia. [13]

3.2. Piikarbidin kuumentaminen[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Piikarbidia (SiC) kuumennettaessa pienessä paineessa (~10−6 torr) hyvin korkeaan lämpötilaan (>1100°C) se pelkistyy grafeeniksi. Tämä prosessi tuottaa epitaksista grafeenia jonka dimensiot riippuvat piikiekon koosta. [14]

3.3. CVD eli Kemikaalinen kaasufaasipinnoitus[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Tällä hetkellä suosituin tapa valmistaa grafeenia on chemical vapour deposition (CVD) eli kemiallinen kaasufaasipinnoitus. Tällä menetelmällä voidaan tuottaa suhteellisen korkealaatuista grafeenia, mahdollisesti myös suuressa mittakaavassa. Tyypillisessä CVD-prosessissa pinnoitettava kappale, jota sanotaan substraatiksi, altistetaan yhdelle tai useammalle kaasumaiselle lähtöaineelle, jotka reagoivat tai hajoavat substraatin pinnalla muodostaen halutun kalvon. Prosessissa kaasumolekyylejä viedään reaktiokammioon, jossa on myös kasvualusta. Kammiota kuumennetaan, jolloin reaktio muodostaa materiaalifilmin kasvualustalle. Kasvualustan lämpötila on kriittinen tekijä oikean reaktion saavuttamiseksi.[15]

Grafeenia voi valmistaa höyrystämällä hiiltä iridiumin, nikkelin tai kuparin pinnalle. Tällä valmistustavalla on iridiumin avulla saatu aikaan yli neliösentin kokoisia ja hyvin rakentuneita grafeenikalvoja.[6]

3.4. Nanoputken aukaiseminen[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Grafeenia voidaan valmistaa leikkamalla auki hiilinanoputkia. Tässä menetelmässä hiilinanoputki avataan kaliumpermanganaatti- ja rikkihappoliuoksessa.[16]

Sovellukset ja käyttö[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Grafeenin monipuolisten ominaisuuksien vuoksi grafeenista tulee mahdollisesti merkittävä teollisuuden raaka-aine ja sovellukset voivat vaikuttaa laajalti ihmisten arkielämään. Grafeenia tullaan mahdollisesti käyttämään elektroniikkateollisuudessa, rakennusteollisuudessa, auto- ja ilmailuteollisuudessa, lääketieteessä ja elintarviketeollisuudessa.[6]

Paristot, polttokenno ja akut[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Litiumionisiin paristoihin on yhdistetty graafenista virtakytkin, jolloin pariston energian varastointikyky on noussut 5-10-kertaiseksi. Princetonin yliopistossa grafeeni yhdistettiin onnistuneesti indiumtinaoksidin kanssa, seurauksena halvempi ja kestävämpi polttokenno. [6]

Akuissa litiumatomit hyödyntävät grafeenin joustavuutta. Grafeenilakanan koloissa oleva pii ja litiumionit reagoivat keskenään samalla luoden oikopolun anodille. Tämä mahdollistaa akun nopeamman lataamisen. Grafeeni on vakaampi kuin monet paristoissa käytetyt metallit, tämän lisäksi se on myrkytön.[6]

Elektroniset komponentit[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Grafeenia on mahdollista hyödyntää elektronisissa komponenteissa sen hyvän sähkönjohtavuuden ansiosta. Grafeenissa on kuitenkin yksi ongelma elektroniikan sovelluksissa; siinä ei ole energia-rakoa (band cap), eikä sitä voi  sen takia käyttää yksinään puolijohteena. Tähän ongelmaan kehitellään koko ajan uusia ratkaisuja.

Grafeenista saa tehtyä transistoreita pommittamalla grafeenilevyä helium-ioneilla. Ioni-säteilytettyyn osaan kertyy enemmän varauksenkuljettajia kuin muualle. Grafeenista valmistetulla transistorilla on päästy sadan gigahertsin kytkentänopeuteen.[2]

Suodattaminen[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Grafeenin yksi yhdiste on grafeenioksidi. Andre Geim ryhmineen osoitti kokeessaan kuinka grafeenioksidilakanoista muodostettu pinnoite metalliastian päällä ei päästänyt lävitseen ilmaa, heliumia eikä muitakaan kaasuja. Pinnoite päästi lävitseen kuitenkin vesimolekyylit ikään kuin pinnoitetta ei olisikaan. Kalvon grefeenioksidit järjestyivät siten, että siihen jäi tilaa ainoastaan yhdelle vesimolekyylille. Ilmiötä on testattu myös alkoholilla, jolloin alkoholi vahvistui veden mennessä grafeenioksidisen kalvon läpi. Tämän kaltaista ominaisuutta voidaan hyödyntää myrkyllisten aineiden suodattamisessa, juomaveden puhdistuksessa, kaasunhaistajina ja kemikaalien puhdistuksessa. [6]

Grafeeni sidosaineena[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Materiaaliteollisuudessa grafeenia voisi käyttää eri materiaalien sidosaineena, esimerkiksi lisäämällä grafeenikerroksia materiaalin vahvistamiseksi. Grafeenin avulla rakennusteollisuudessa materiaalien kokoa voidaan pienentää ja lujuutta parantaa. Teippiin tai muoviin yhdistetty grafeeeni voisi toimia johteena tai komposiittina. [6]

Optoelektroniikka[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Alue, jolla tullaan näkemään grafeenisovelluksia jo pian, on optoelektroniikka ja erityisesti kosketusnäytöt, nestekidenäytöt sekä OLED-näytöt. Nykyään yleisimmin käytetty materiaali näissä sovelluksissa on ITO eli indium tin oxide. Testeissä on todettu, että grafeeni olisi ominaisuuksiltaan parempi sekä monipuolisempi. Grafeenin käyttö mahdollistaa esimerkiksi joustavat näytöt. [17]

Muita mahdollisia käyttökohteita[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Grafeenia on ehdotettu materiaaliksi, josta alettaisiin kehittää nopeita ja tehokkaita biosähköllä toimivia tunnistinlaitteita, jotka kykenevät tarkkailemaan mm. glukoositasoja, hemoglobiininia, kolesterolia ja jopa DNA-jaksotusta. On myös ehdotettu, että grafeenia hyödynnettäisiin antibiooteissa ja syöpähoidoissa, sekä kudosten luomisessa. Menee kuitenkin vielä vuosikymmeniä ennen kuin grafeenia voidaan alkaa käyttämään laajamittaisesti bioteknologisissa sovelluksissa. [18]

Grafeenin on todettu tappavan hyvin bakteereja, esim. E. coli -bakteereja. Elintarviketeollisuudessa sitä voisi käyttää ruoan suojakääreenä. [6]

Tutkimus ja haasteet[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Toinen aineen löytäjistä Andre Geim vieraili vuonna 2009 Suomessa, jolloin Espoon Dipolissa järjestettiin Fysiikan päivät, joilla esiteltiin myös grafeenin ominaisuuksia.[19]

Vuonna 2013 Euroopan unioni on päättänyt rahoittaa grafeenin tutkimusta yhteensä miljardilla eurolla tulevan kymmennen vuoden aikana. Suomesta hankkeessa ovat mukana Aalto-yliopistosta O.V. Lounasmaa-laboratorio sekä Mikro- ja nanotekniikan laitos, VTT ja Nokia Research Center. [20]

Vuonna 2012 tutkimuksissa huomattiin, että teoreettisesti metallialustaa, jolla grafeenia kasvatetaan, voidaan käyttää äärettömän monta kertaa. Tällöin myrkyllisen jätteen määrä prosessissa pienenisi huomattavasti. Tällä menetelmällä grafeenin laatu on kuitenkin rajoittava tekijä teknologian sovelluksissa. Kun grafeenia pystytään tuottamaan hyvin ohuille metallilevyille CVD-menetelmällä matalissa lämpötiloissa, mahdollistaa tämä grafeenin laajamittaisen tuottamisen ja parantaa kustannustehokkuutta. Haasteena tässä on grafeenin kuoriminen metallilevystä siten, että laatu pysyy korkeana.[21]

Lähteet[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

  1. http://www.nanobitteja.fi/4
  2. a b prosessori.fi: Grafeenitransistori kiihtyi jo 100 gigahertsiin Viitattu 8.2.2010. (suomeksi)
  3. Fysiikan Nobel monikäyttöisen aineen tutkijoille 5.10.2010. YLE Uutiset. Viitattu 5.10.2010.
  4. Fysiikan Nobel-palkinto kaksiulotteisen grafeenin keksijöille Viitattu 5.10.2010.
  5. a b c Grafeenista vauhtia elektroniikkaan. Tiede-lehti, 2009, nro 4. Artikkelin verkkoversio Viitattu 11.5.2013. (suomeksi)
  6. a b c d e f g h i j k l Timo Paukku: Kymmenen uutta ihmettä, s. 34-41. Tampere: Gaudeamus, 2013. ISBN 978-952-495-280-4.
  7. Geim, A. K.; Kim, P. Carbon Wonderland
  8. Graphene and Other Two-Dimensional Materials Manchesterin yliopisto
  9. a b c Properties of Graphene 2014 (englanniksi)
  10. Neto, A Castro; Peres, N. M. R.; Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; (2009) "The Electronic Properties of Graphene" Rev Mod Phys 81: 109. arXiv:0709.1163.Bibcode:2009:2009RvMP...81..109C. doi:10.1103/RevModPhys.81.109
  11. Charlier, J.-C; Eklund, P.C.; Zhu, J.; Ferrari, A.C. (2008). "Electron and Phonon Properties of Graphene: Their Relationship with Carbon Nanotubes" In Jorio, A.; Dresselhaus and, G.; Dresselhaus, M.S. Carbon Nanotubes: Advanced Topics in the Synthesis, Structure, Properties and Applications (Berlin/Heidelberg: Springer-Verlag).
  12. Braga, S.; Coluci, V. R.; Legoas, S. B.; Giro, R.; Galvão, D. S.; Baughman, R. H. (2004). "Structure and Dynamics of Carbon Nanoscrolls". Nano Letters 4 (5): 881. Bibcode:2004NanoL...4..881B. doi:10.1021/nl0497272.
  13. 13. Garbon wonderland Viitattu 11.5.2013. (englanniksi)
  14. 14. Sutter, P. (2009). "Epitaxial graphene: How silicon leaves the scene". Nature Materials 8 (3): 171–2. Bibcode:2009NatMa...8..171S. doi:10.1038/nmat2392. PMID 19229263.
  15. graphenea.com: CVD Graphene - Creating Graphene Via Chemical Vapour Deposition 2014 (englanniksi)
  16. Wassei, Jonathan K.; Mecklenburg, Matthew; Torres, Jaime A.; Fowler, Jesse D.; Regan, B. C.; Kaner, Richard B.; Weiller, Bruce H. (12 May 2012). "Chemical Vapor Deposition of Graphene on Copper from Methane, Ethane and Propane: Evidence for Bilayer Selectivity". Small 8 (9): 1415–1422. doi:10.1002/smll.201102276. PMID 22351509.
  17. 17. Lenski, Daniel R.; Fuhrer, Michael S. (2011). "Raman and optical characterization of multilayer turbostratic graphene grown via chemical vapor deposition". Journal of Applied Physics 110: 013720. arXiv:1011.1683. Bibcode:2011JAP...110a3720L. doi:10.1063/1.3605545.
  18. graphenea.com: Graphene Applications & Uses 2014 (englanniksi)
  19. Lee, C. et al.: Measurement of the Elastic Properties and Intrinsic Strength of Monolayer Graphene. Science, 2008, 321. vsk, nro 5887, s. 385. Artikkelin verkkoversio.
  20. Tekniikka&Talous -lehti, 2013, nro 2. (suomeksi)
  21. graphenea.com: Graphene - What Is It? 2014 (englanniksi)

Aiheesta muualla[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]


Tämä kemiaan liittyvä artikkeli on tynkä. Voit auttaa Wikipediaa laajentamalla artikkelia.