Galliumarsenidi
| Galliumarsenidi | |
|---|---|
|
|
|
| Tunnisteet | |
| CAS-numero | 1303-00-0 |
| Ominaisuudet | |
| Molekyylikaava | GaAs |
| Moolimassa | 144,64 |
| Sulamispiste | 1238°C[1] |
| Tiheys | 5,36 g/dm3[1] |
Galliumarsenidi (GaAs) on III-V-puolijohteisiin kuuluva yhdistepuolijohde, joka on galliumin ja arseenin yhdiste. Galliumarsenidi kilpailee piipohjaisten puolijohdemateriaalien kanssa, ja on niitä nopeampi transistorina. GaAs-puolijohteita käytetään kännyköiden radiolähettimien MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) piireissä, laserdiodeissa, infrapuna-LEDeissä ja aurinkokennoissa. 80-luvulla oli suunnitelmia korvata GaAs-puolijohteilla piipohjaiset ja joitakin GaAs-tekniikkaan pohjautuvia tietokoneita valmistettiinkin 90-luvun alussa, mutta CMOS-tekniikka voitti kilpailun.
GaAs-pohjaisilla aurinkokennoilla, joissa on myös mukana germaniumia ja indiumgalliumfosfidia InGaP muodostamassa kolmiportaisen aurinkokennon, on saavutettu korkein tehokkuus 32%. Tämä pystyy myös toimimaan suurilla valotehoilla eli noin kaksinkertaisella maanpinnan aurinkoteholla. Marsin pinnalla liikkuvat robotit käyttävät tämäntyyppisiä aurinkokennoja.
Galliumarsenidia voidaan valmistaa galliumista ja arseenista korkean paineen alaisena.[1]
GaAs on myrkyllinen ja karsinogeeni.
Katso myös [muokkaa]
- MOSFET
- Ohutkalvon kasvatus
- Aurinkokenno
- IMEC-tutkimuslaitos
Lähteet [muokkaa]
- ↑ a b c Floyd Gray, Deborah A. Kramer & James D. Bliss :Gallium and Gallium Compounds, Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, John Wiley & Sons, New York, 2001 Teoksen verkkoversio Viitattu 23.05.2011
Aiheesta muualla [muokkaa]
- Toxin and Toxin Target Database (T3DB): Gallium arsenide (englanniksi)
