Ero sivun ”Puolijohde” versioiden välillä
[arvioimaton versio] | [arvioimaton versio] |
p r2.7.2+) (Botti muutti kielilinkin fa:نیمهرسانا muotoon fa:نیمرسانا |
|||
Rivi 30: | Rivi 30: | ||
[[Luokka:Puolijohteet]] |
[[Luokka:Puolijohteet]] |
||
[[af:Halfgeleier]] |
|||
[[ar:شبه موصل]] |
|||
[[an:Semiconductor]] |
|||
[[as:অৰ্ধপৰিবাহী]] |
|||
[[az:Yarımkeçiricilər]] |
|||
[[id:Semikonduktor]] |
|||
[[ms:Separa pengalir]] |
|||
[[bn:অর্ধপরিবাহী]] |
|||
[[zh-min-nan:Poàn-tō-thé]] |
|||
[[be:Паўправаднік]] |
|||
[[be-x-old:Паўправаднік]] |
|||
[[bs:Poluprovodnik]] |
|||
[[bg:Полупроводник]] |
|||
[[ca:Semiconductor]] |
|||
[[cs:Polovodič]] |
|||
[[da:Halvleder]] |
|||
[[de:Halbleiter]] |
|||
[[et:Pooljuht]] |
|||
[[el:Ημιαγωγός]] |
|||
[[en:Semiconductor]] |
|||
[[es:Semiconductor]] |
|||
[[eo:Duonkonduktaĵo]] |
|||
[[eu:Erdieroale]] |
|||
[[fa:نیمرسانا]] |
|||
[[hif:Semiconductor]] |
|||
[[fr:Semi-conducteur]] |
|||
[[ga:Leathsheoltóir]] |
|||
[[gl:Semicondutor]] |
|||
[[gan:半導體]] |
|||
[[ko:반도체]] |
|||
[[hi:अर्धचालक पदार्थ]] |
|||
[[hr:Poluvodič]] |
|||
[[is:Hálfleiðari]] |
|||
[[it:Semiconduttore]] |
|||
[[he:מוליך למחצה]] |
|||
[[kn:ಅರೆವಾಹಕ]] |
|||
[[ka:ნახევრად გამტარები]] |
|||
[[kk:Меншікті өткізгіштік]] |
|||
[[ht:Semi-kondiktè]] |
|||
[[ku:Nîvragihbar]] |
|||
[[la:Semiconductrum]] |
|||
[[lv:Pusvadītājs]] |
|||
[[lt:Puslaidininkis]] |
|||
[[hu:Félvezető]] |
|||
[[mk:Полупроводник]] |
|||
[[ml:അർദ്ധചാലകം]] |
|||
[[mr:अर्धवाहक]] |
|||
[[mn:Хагас дамжуулагч]] |
|||
[[nl:Halfgeleider (vastestoffysica)]] |
|||
[[ja:半導体]] |
|||
[[no:Halvleder]] |
|||
[[nn:Halvleiarar]] |
|||
[[oc:Semiconductor]] |
|||
[[uz:Yarimoʻtkazgich]] |
|||
[[pnb:سیمی کنڈکٹر]] |
|||
[[pl:Półprzewodniki]] |
|||
[[pt:Semicondutor]] |
|||
[[ro:Semiconductor]] |
|||
[[ru:Полупроводник]] |
|||
[[stq:Hoolichlaitere]] |
|||
[[sq:Gjysmëpërcjellësi]] |
|||
[[si:අර්ධ සන්නායක]] |
|||
[[simple:Semiconductor]] |
|||
[[sk:Polovodič]] |
|||
[[sl:Polprevodnik]] |
|||
[[sr:Полупроводник]] |
|||
[[sh:Poluprovodnik]] |
|||
[[sv:Halvledare]] |
|||
[[tl:Semikonduktor]] |
|||
[[ta:குறைக்கடத்தி]] |
|||
[[th:สารกึ่งตัวนำ]] |
|||
[[vi:Chất bán dẫn]] |
|||
[[tr:Yarı iletken]] |
|||
[[uk:Напівпровідник]] |
|||
[[ur:نیم موصل]] |
|||
[[war:Semikonduktor]] |
|||
[[zh-yue:半導體]] |
|||
[[zh:半导体]] |
Versio 8. maaliskuuta 2013 kello 02.02
Tämän artikkelin tai sen osan paikkansapitävyys on kyseenalaistettu. Voit auttaa varmistamaan, että kyseenalaistetut väittämät ovat luotettavasti lähteistettyjä. Lisää tietoa saattaa olla keskustelusivulla. |
Tähän artikkeliin tai osioon ei ole merkitty lähteitä, joten tiedot kannattaa tarkistaa muista tietolähteistä. Voit auttaa Wikipediaa lisäämällä artikkeliin tarkistettavissa olevia lähteitä ja merkitsemällä ne ohjeen mukaan. |
Puolijohde on materiaali, joka johtaa sähköä paremmin kuin eriste, mutta huonommin kuin metallit.[1] Se on kiinteä aine, jossa olennaisesti täynnä olevan valenssivyön ja tyhjän johtavuusvyön välinen energiaero on noin 1 eV.
Kiinteässä aineessa elektronit voivat olla joko valenssivyöllä tai johtavuusvyöllä. Näiden välissä on niin sanottu kielletty energiavyö, jossa elektronit eivät voi olla. Sähkövirran kuljetukseen osallistuvat vain elektronit, jotka ovat vajaasti täytetyllä vyöllä. Jos valenssivyö on täynnä, virtaa kuljettavat vain johtavuusvyöllä olevat elektronit. Puolijohteessa johtavuusvyö kylmässä on tyhjä, joten matalissa lämpötiloissa puolijohde toimii eristeenä, mutta huoneenlämmössä lämpövärähtelyt nostavat elektroneja valenssivyöstä johtavuusvyöhön ja puolijohde toimii johteena. Myös lisäämällä puolijohteeseen epäpuhtauksia voidaan sähkönjohtavuutta nostaa. Puolijohteita ovat puolimetalleiksi luokitellut alkuaineet ja useat niitä sisältävät yhdisteet. Teknisesti tärkeimmät puolijohteet ovat pii, germanium sekä jaksollisen järjestelmän III ja V ryhmän alkuaineiden yhdisteet (III-V -puolijohteet) kuten galliumarsenidi.
Puolijohteet ovat erittäin hyödyllisiä elektroniikassa, koska niiden ominaisuuksia voidaan muuttaa helposti lisäämällä aineeseen epäpuhtauksia pieninä määrinä. Nämä epäpuhtaudet lisäävät joko elektronien tai aukkojen määrää.
Puolijohdetyypit ja -komponentit
N-tyyppisiä puolijohteita saadaan lisäämällä rakenteeseen atomeja (esimerkiksi As), joilla on enemmän valenssielektroneja kuin isäntäatomeilla (tässä Si). Tällöin ylimääräiset elektronit voivat johtaa sähköä.
P-tyyppinen puolijohde saadaan lisäämällä rakenteeseen atomeja (esimerkiksi B), jolla on vähemmän valenssielektroneja kuin isäntäatomeilla (tässä Si). Tällöin muodostuvat positiiviset aukot toimivat varauksen siirtäjinä. Piissä aukot ovat varauksensiirtäjinä hitaampia kuin elektronit.
Yhdistepuolijohteet ovat kahden tai useamman alkuaineen yhdisteitä, jotka yhdessä toimivat puolijohteena. Niitä käytetään usein LEDeissä, koska niillä on mahdollista tuottaa ihmissilmälle näkyvän valon aallonpituuksia. Joistakin yhdistelmäpuolijohteista pystyy valmistamaan pii- ja germaniumpuolijohteita nopeampia transistoreita. Esimerkiksi galliumarsenidi, galliumarsenidifosfidi, galliumfosfidi, galliumantimonidi, indiumarsenidi, indiumfosfidi ja indiumantimonidi ovat yhdistepuolijohteita.
Puolijohdekomponentteja: diodi, LED (valodiodi), transistori, tyristori, mikropiiri, diac, triac, aurinkokenno
Katso myös
Viitteet
- ↑ Rolf Enderlein & Norman J. M. Horing: Fundamentals Of Semiconductor Physics And Devices, s. 1. World Scientific, 1997. ISBN 9789810223878. (englanniksi)
Aiheesta muualla
- Kuvia tai muita tiedostoja aiheesta Puolijohde Wikimedia Commonsissa