SRAM

Kuuden transistorin SRAM-muistisolu.

Hyundai RAM -mikropiiri.

SRAM (lyhenne sanoista Static Random Access Memory) eli staattinen RAM-muisti on puolijohdetekniikalla toteutettu muistityyppi.

SRAM eroaa DRAM-muistista siten, että DRAM-muistikennon kondensaattoria on virkistettävä säännöllisesti, koska muutoin se kadottaa tietonsa. SRAM-muistisolu koostuu kiikkupiiristä, joka on toteutettu muutamalla transistorilla. Kiikkupiiri on asetetun tilansa säilyttävä eli staattinen niin pitkään kuin käyttöjännite on kytkettynä, joten tarvetta virkistykselle ei ole. SRAMista voidaan tehdä erittäin nopeaa, koska data voidaan lukea suoraan solun ulosmenolinjalta ilman erityistoimenpiteitä, ja SRAM voidaan valmistaa samalla nopealla logiikkaprosessilla kuin yleiskäyttöiset piirit. SRAM-muisti sijaitsee usein fyysisesti samalla mikropiirillä kuin sitä käyttävä suoritin, kun puolestaan DRAM sijaitsee omalla piirillään. SRAM vaatii n. 6−8 kertaa enemmän tilaa piiriltä kuin DRAM, eli samaan tilaan ja samalla hinnalla saadaan valmistettua 6−8 kertaa enemmän DRAM-muistia kuin SRAM-muistia, mistä syystä SRAMia käytetään lähinnä puskuri- ja välimuistina sekä esimerkiksi paristovarmennettuna asetusmuistina.

SRAM-piirien rajapinta on tyypillisesti erilainen kuin DRAM-piirien; SRAM-piireillä on tyypillisesti täysleveä osoiteväylä, jolloin koko osoite voidaan syöttää kerralla, eikä osoitteen syöttämisestä useammassa osassa aiheudu ylimääräistä viivettä, kuten DRAMin kohdalla.

Katso myös

• Muisti
• DRAM
• Digitaalipiirit
• Kiikkupiiri