IGBT

Tyypillisen IGBT-transistorin halkileikkaus, jossa näkyvät bipolaaritransistori ja MOSFET.

IGBT-moduli, jossa on neljä IGBT-transistoria, jokainen johtaa 1,2kA ja maksimijännite on 3,3kV.

Avattu IGBT-moduli jossa on kaksi IGBT-transistoria, tämä on hyvin tyypillinen suuritehoisen IGBT-modulin rakenne.

Kaksi IGBT-modulia H-silta -kytkennässä.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) on suuritehoinen bipolaaritransistori, jonka hila (G) on MOSFETin tavoin eristetty. Tämä tarkoittaa käytännössä sitä että IGBT:ssä on sekä bipolaaritransistori että MOSFET yhdessä, IGBT muistuttaakin kollektorilta päin katsottuna bipolaaritransistoria, mutta sen ohjaus toteutuu MOSFETilla.

IGBT kestää suuren virran kiinni-tilassa, ja suuren jännitteen auki-tilassa, ja se on tarkoitettu kytkinkäyttöön, yhtenä yleisenä käyttökohteena taajuusmuuttajat. IGBT:n jäähdytyselementin ei tarvitse olla suuri koska sillä on pienet jännite- ja tehohäviöt, jolloin se ei tuota toimiessaan kovin voimakkaasti lämpöä, toisin kuin MOSFET tai bipolaaritransistori.

Ohjaus

IGBT:n ohjaus ei vaadi monimutkaisia kytkentöjä, sen ohjaus onnistuu samalla tavoin kuin MOSFETilla. IGBT on hidas kyllästystilasta (auki-tila) sulkutilaan, koska hilan varauksenkuljettajat voivat poistua vain rekombinaatiolla. Ne on siis purettava transistoria suljettaessa esimerkiksi vastuksen kautta takaisin kollektorille. Ohjaus onnistuu myös ilman purkuvastusta esimerkiksi hilamuuntajaa käyttäen, jolloin on käytettävä hilavastusta ja tarvittaessa myös nopeaa purkudiodia.