IGBT

Wikipedia
Loikkaa: valikkoon, hakuun
Tyypillisen IGBT-transistorin halkileikkaus, jossa näkyvät bipolaaritransistori ja MOSFET.
IGBT-moduli, jossa on neljä IGBT-transistoria, jokainen johtaa 1,2kA ja maksimijännite on 3,3kV.
Avattu IGBT-moduli jossa on kaksi IGBT-transistoria, tämä on hyvin tyypillinen suuritehoisen IGBT-modulin rakenne.
Kaksi IGBT-modulia H-silta -kytkennässä.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) on suuritehoinen bipolaaritransistori, jonka hila (G) on MOSFETin tavoin eristetty. Tämä tarkoittaa käytännössä sitä että IGBT:ssä on sekä bipolaaritransistori että MOSFET yhdessä, IGBT muistuttaakin kollektorilta päin katsottuna bipolaaritransistoria, mutta sen ohjaus toteutuu MOSFETilla.[1]

IGBT kestää suuren virran kiinni-tilassa, ja suuren jännitteen auki-tilassa, ja se on tarkoitettu kytkinkäyttöön, yhtenä yleisenä käyttökohteena taajuusmuuttajat. IGBT:n jäähdytyselementin ei tarvitse olla suuri koska sillä on pienet jännite- ja tehohäviöt, jolloin se ei tuota toimiessaan kovin voimakkaasti lämpöä, toisin kuin MOSFET tai bipolaaritransistori.[1]

Ohjaus[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

IGBT:n ohjaus ei vaadi monimutkaisia kytkentöjä, sen ohjaus onnistuu samalla tavoin kuin MOSFETilla. IGBT on hidas kyllästystilasta (auki-tila) sulkutilaan, koska hilan varauksenkuljettajat voivat poistua vain rekombinaatiolla. Ne on siis purettava transistoria suljettaessa esimerkiksi vastuksen kautta takaisin kollektorille.[1] Ohjaus onnistuu myös ilman purkuvastusta esimerkiksi hilamuuntajaa käyttäen, jolloin on käytettävä hilavastusta ja tarvittaessa myös nopeaa purkudiodia.

Lähteet[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]