Douppaus

Wikipedia
Loikkaa: valikkoon, hakuun
Tämä artikkeli käsittelee puolijohteiden valmistamista. Urheilusuoritusten luvattomasta parantamisesta katso doping.
Eräs puolijohderakenne

Douppaus, doping eli seostaminen tarkoittaa puolijohteiden (puolijohdekomponenttien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (esimerkiksi pii, germanium, seleeni, arseeni). Tällöin saadaan materiaaliin halutunlaiset sähköiset ominaisuudet.

Doupattujen atomien määrä, joka tarvitaan muuttamaan puolijohteen sähkönjohtavuutta, on erittäin pieni. Kun suhteellisen pieni määrä doupattuja atomeja lisätään (1 jokaista 100 000 000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan matala tai kevyt. Kun doupattuja atomeja lisätään huomattavasti enemmän (1 jokaista 10 000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan raskas tai korkea. Tämä merkitään yleensä n+ n-tyypin douppaukselle ja p+ p-tyypin douppaukselle.

Puolijohdekomponentteja ovat muun muassa ledit, tyristorit, diodit ja transistorit, joita sisältävät mikropiirit ovat mikroprosessori- ja tietokonetekniikan peruskomponentteja.

Douppaustekniikka ja -aineet[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Douppaus tapahtuu yleensä yksinkertaisten, puolimetalli- ja vetyatoimeista koostuvien kaasujen avulla, hajottamalla kaasu suljetussa kammiossa doupattavan aineen kanssa, jolloin puolimetalliatomit laskeutuvat doupattavan aineen päälle. Tällaisia kaasuja ovat muun muassa silaani, arsiini, seleenivety ja germaani.

Katso myös[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Commons
Wikimedia Commonsissa on kuvia tai muita tiedostoja aiheesta Puolijohde.
Tämä tekniikkaan liittyvä artikkeli on tynkä. Voit auttaa Wikipediaa laajentamalla artikkelia.