Ero sivun ”Puolijohde” versioiden välillä

Wikipediasta
Siirry navigaatioon Siirry hakuun
[arvioimaton versio][arvioimaton versio]
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
Jas3600 (keskustelu | muokkaukset)
p "Eriste"-linkit vei sivulle eriste. Nyt menee sivulle Sähköeriste. Siihen tää kuitenkin liittyy.
Jas3600 (keskustelu | muokkaukset)
p valenssivyön linkki korjattu
Rivi 2: Rivi 2:
{{Lähteetön}}
{{Lähteetön}}


'''Puolijohde''' on materiaali, joka johtaa sähköä paremmin kuin [[Sähköeriste|eriste]], mutta huonommin kuin metallit.<ref>{{Kirjaviite | Tekijä = Rolf Enderlein & Norman J. M. Horing| Nimeke = Fundamentals Of Semiconductor Physics And Devices| Kappale = | Sivu = 1| Selite = | Julkaisija = World Scientific | Vuosi = 1997| Tunniste = ISBN 9789810223878| Viitattu = 2.1.2013| Kieli = {{en}}}}</ref> Se on materiaali, jonka [[elektronivyörakenne|valenssivyö]]n ja johtavuusvyön välinen energiaero (noin 1&nbsp;[[elektronivoltti|eV]])<ref>{{Kirjaviite | Tekijä = Alan Owens| Nimeke = Compound Semiconductor Radiation Detectors| Kappale = | Sivu = 6| Selite = | Julkaisija = CRC Press | Vuosi = 2012| Tunniste = ISBN 9781439873120 | Viitattu = 4.9.2013| Kieli = {{en}}}}</ref> on huomattavasti pienempi kuin eristeillä, mikä helpottaa elektronin siirtymistä vyöltä toiselle.<ref name="aaltonen48">{{Kirjaviite | Tekijä = Juha Aaltonen, Seppo Kousa & Jyrki Stor-Pellinen| Nimeke = Elektroniikan perusteet| Kappale = | Sivu = 48| Selite = | Julkaisija = Limes ry| Vuosi = 1999| Tunniste = ISBN 9517451822| Viitattu =4.9.2013 }}</ref>
'''Puolijohde''' on materiaali, joka johtaa sähköä paremmin kuin [[Sähköeriste|eriste]], mutta huonommin kuin metallit.<ref>{{Kirjaviite | Tekijä = Rolf Enderlein & Norman J. M. Horing| Nimeke = Fundamentals Of Semiconductor Physics And Devices| Kappale = | Sivu = 1| Selite = | Julkaisija = World Scientific | Vuosi = 1997| Tunniste = ISBN 9789810223878| Viitattu = 2.1.2013| Kieli = {{en}}}}</ref> Se on materiaali, jonka [[Valenssivyö|valenssivyön]] ja johtavuusvyön välinen energiaero (noin 1&nbsp;[[elektronivoltti|eV]])<ref>{{Kirjaviite | Tekijä = Alan Owens| Nimeke = Compound Semiconductor Radiation Detectors| Kappale = | Sivu = 6| Selite = | Julkaisija = CRC Press | Vuosi = 2012| Tunniste = ISBN 9781439873120 | Viitattu = 4.9.2013| Kieli = {{en}}}}</ref> on huomattavasti pienempi kuin eristeillä, mikä helpottaa elektronin siirtymistä vyöltä toiselle.<ref name="aaltonen48">{{Kirjaviite | Tekijä = Juha Aaltonen, Seppo Kousa & Jyrki Stor-Pellinen| Nimeke = Elektroniikan perusteet| Kappale = | Sivu = 48| Selite = | Julkaisija = Limes ry| Vuosi = 1999| Tunniste = ISBN 9517451822| Viitattu =4.9.2013 }}</ref>


Puolijohteita ovat [[puolimetalli|puolimetalleiksi]] luokitellut alkuaineet ja useat niitä sisältävät yhdisteet. Teknisesti tärkeimmät puolijohteet ovat [[pii (alkuaine)|pii]], [[germanium]] sekä [[alkuaineiden jaksollinen järjestelmä|jaksollisen järjestelmän]] III ja V ryhmän alkuaineiden yhdisteet (''III-V -puolijohteet'') kuten [[galliumarsenidi]].
Puolijohteita ovat [[puolimetalli|puolimetalleiksi]] luokitellut alkuaineet ja useat niitä sisältävät yhdisteet. Teknisesti tärkeimmät puolijohteet ovat [[pii (alkuaine)|pii]], [[germanium]] sekä [[alkuaineiden jaksollinen järjestelmä|jaksollisen järjestelmän]] III ja V ryhmän alkuaineiden yhdisteet (''III-V -puolijohteet'') kuten [[galliumarsenidi]].

Versio 22. tammikuuta 2014 kello 16.04

Puolijohde on materiaali, joka johtaa sähköä paremmin kuin eriste, mutta huonommin kuin metallit.[1] Se on materiaali, jonka valenssivyön ja johtavuusvyön välinen energiaero (noin 1 eV)[2] on huomattavasti pienempi kuin eristeillä, mikä helpottaa elektronin siirtymistä vyöltä toiselle.[3]

Puolijohteita ovat puolimetalleiksi luokitellut alkuaineet ja useat niitä sisältävät yhdisteet. Teknisesti tärkeimmät puolijohteet ovat pii, germanium sekä jaksollisen järjestelmän III ja V ryhmän alkuaineiden yhdisteet (III-V -puolijohteet) kuten galliumarsenidi.

Puolijohteen toimintaperiaate

Kiinteässä aineessa elektronit voivat olla joko valenssivyöllä tai johtavuusvyöllä. Näiden välissä on niin sanottu kielletty energiavyö, jossa elektronit eivät voi olla. Sähkövirran kuljetukseen osallistuvat vain elektronit, jotka ovat vajaasti täytetyllä vyöllä. Jos valenssivyö on täynnä, virtaa kuljettavat vain johtavuusvyöllä olevat elektronit.

Puolijohteessa johtavuusvyö kylmässä on tyhjä, joten matalissa lämpötiloissa puolijohde toimii eristeenä, mutta huoneenlämmössä lämpövärähtelyt nostavat elektroneja valenssivyöstä johtavuusvyöhön ja puolijohde toimii johteena.

Puolijohteen sähkönjohtavuutta voidaan muuttaa lisäämällä siihen epäpuhtauksia,[3] minkä takia puolijohteet ovat hyödyllisiä elektroniikassa. Nämä epäpuhtaudet lisäävät joko elektronien tai aukkojen määrää.

Puolijohdetyypit ja -komponentit

N-tyyppisiä puolijohteita saadaan seostamalla rakenteeseen atomeja (esimerkiksi arseenia, As), joilla on enemmän valenssielektroneja kuin isäntäatomeilla (tässä Si). Tällöin ylimääräiset elektronit voivat johtaa sähköä.

P-tyyppinen puolijohde saadaan lisäämällä rakenteeseen atomeja (esimerkiksi booria, B), jolla on vähemmän valenssielektroneja kuin isäntäatomeilla (tässä Si). Tällöin muodostuvat positiiviset aukot toimivat varauksenkuljettajina. Piissä aukoilla on varauksenkuljettajina huonompi liikkuvuus kuin elektroneilla.

Yhdistepuolijohteet ovat kahden tai useamman alkuaineen yhdisteitä, jotka yhdessä toimivat puolijohteena. Niitä käytetään usein LEDeissä, koska niillä on mahdollista tuottaa ihmissilmälle näkyvän valon aallonpituuksia. Joistakin yhdistelmäpuolijohteista pystyy valmistamaan pii- ja germaniumpuolijohteita nopeampia transistoreita. Esimerkiksi galliumarsenidi, galliumarsenidifosfidi, galliumfosfidi, galliumantimonidi, indiumarsenidi, indiumfosfidi ja indiumantimonidi ovat yhdistepuolijohteita.

Puolijohdekomponentteja: diodi, LED (valodiodi), transistori, tyristori, mikropiiri, diac, triac, aurinkokenno

Katso myös

Viitteet

  1. Rolf Enderlein & Norman J. M. Horing: Fundamentals Of Semiconductor Physics And Devices, s. 1. World Scientific, 1997. ISBN 9789810223878. (englanniksi)
  2. Alan Owens: Compound Semiconductor Radiation Detectors, s. 6. CRC Press, 2012. ISBN 9781439873120. (englanniksi)
  3. a b Juha Aaltonen, Seppo Kousa & Jyrki Stor-Pellinen: Elektroniikan perusteet, s. 48. Limes ry, 1999. ISBN 9517451822.

Aiheesta muualla

Tämä fysiikkaan liittyvä artikkeli on tynkä. Voit auttaa Wikipediaa laajentamalla artikkelia.