Kanavatransistori

Kohteesta Wikipedia
Loikkaa: valikkoon, hakuun

Kanavatransistori eli FET (kanavavaikutustransistori, engl. Field effect transistor[1]) on transistori, jossa varauksenkuljettajien liikettä ohjataan puolijohdekanavassa vaikuttavan sähkökentän avulla. On olemassa suuri joukko eri tyyppisiä FET-komponentteja. Dopingprofiilin mukaan FETit jakautuvat n-tyyppisiin ja p-tyyppisiin. Rakenteeltaan kaksi tärkeintä päätyyppiä ovat MOSFET (Metallioksidi-puolijohdekanavatransistori eli eristehilatransistori) ja JFET (Liitoskanavatransistori). MOSFETit jaetaan toimintaperiaatteeltaan avaustyyppisiin (enhancement) ja sulkutyyppisiin (depletion). FETeillä on yleensä kolme tai neljä liitosjohtoa. Gate (hila), drain (nielu), source (lähde) ja substrate. Substrate-elektrodi on vain MOSFETillä. Elektrodien suomenkielisistä nimistä ainoastaan hila on vakiintunut, koska se on analoginen elektroniputken hilan kanssa, mutta muidenkin elektrodien suomenkieliset nimitykset ovat yleisessä tiedossa.

Katso myös[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Lähteet[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

  • Silvonen, Kimmo: Sähkötekniikka ja elektroniikka. Helsinki: Otatieto, 2003. ISBN 951-672-33-7.

Viitteet[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Kirjallisuutta[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

  • Salste, Mikko; Porra, Veikko: Elektroniikka: sovelletun elektroniikan ja digitaalitekniikan perusteet. Otaniemi: Otakustantamo, 1973. ISBN 951-671-053-0.
  • Silvonen, Kimmo; Tiilikainen, Matti; Helenius Kari: Analogiaelektroniikka. Helsinki: Edita, 2004 (2002). ISBN 951-37-3839-6.