MRAM
| Muistityypit |
| Haihtuvat muistityypit |
| Haihtumattomat muistityypit |
MRAM (Magnetoresistive RAM) on muistityyppi, joka on haihtumatonta muistia. Muisti käyttää elektronin spiniä tiedon tallennukseen ja siten kutsutaan spintronics-laitteeksi.[1] MRAM tallettaa tietoa magneettisesti (eikä sähkövarauksena).[2] Ulkoisen magneettikentän pitäisi olla hyvin voimakas häiritäkseen talletettua tilaa.[2] Toisin kuin SRAM- ja DRAM-muistit MRAM on immuuni ionisoivalle säteilylle ja soveltuu siten avaruusteollisuuden käyttöön.[3] Lisäksi MRAM toimii äärimmäisissä lämpötiloissa.[1] MRAM-muistin nopeutta on verrattu DRAM-muistien nopeuteen ja vaatii huomattavasti vähemmän virtaa kuin flash-muisti.[3]
Vuonna 2020 MRAM-piirejä oli saatavilla hyvin pienistä yhden gigabitin piireihin.[1] MRAM markkinoiden arvoksi Yhdysvalloissa arvioitiin 51,2 miljoonaa dollaria vuonna 2020 ja sen arvon ennakoidaan nousevan lähes kahteen miljardiin dollariin vuoteen 2027 mennessä.[4]
Muistityypistä on eri lajityyppejä kuten STT-MRAM (spin-transfer switching) ja TAS-MRAM (thermal-assisted switching).
Lähteet[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]
- ↑ a b c What is MRAM? mram-info.com. Viitattu 5.1.2021. (englanniksi)
- ↑ a b Jim Handy: What’s the Difference Between All Those Emerging Memory Technologies? electronicdesign.com. 24.1.2018. Viitattu 5.1.2021. (englanniksi)
- ↑ a b Barry Hoberman: 11 Myths About MRAM electronicdesign.com. 18.1.2017. Viitattu 5.1.2021. (englanniksi)
- ↑ Global Magneto Resistive RAM (MRAM) Industry globenewswire.com. 18.8.2020. Viitattu 5.1.2021. (englanniksi)