Kanavatransistori
Kanavatransistori eli FET (Field effect transistor) on transistori, jossa varauksenkuljettajien liikettä ohjataan puolijohdekanavassa vaikuttavan sähkökentän avulla. On olemassa suuri joukko eri tyyppisiä FET-komponentteja. Dopingprofiilin mukaan FETit jakautuvat n-tyyppisiin ja p-tyyppisiin. Rakenteeltaan kaksi tärkeintä päätyyppiä ovat MOSFET (Metallioksidi-puolijohdekanavatransistori eli eristehilatransistori) ja JFET (Liitoskanavatransistori). MOSFETit jaetaan toimintaperiaatteeltaan avaustyyppisiin (enhancement) ja sulkutyyppisiin (depletion). FETeillä on yleensä kolme tai neljä liitosjohtoa. Gate (Hila), Drain (Nielu), Source (Lähde) ja Substrate. Substrate elektrodi on vain MOSFETillä. Elektrodien suomenkielisistä nimistä ainoastaan hila on vakiintunut, koska se on analoginen elektroniputken hilan kanssa, mutta muidenkin elektrodien suomenkieliset nimitykset ovat yleisessä tiedossa.
Katso myös [muokkaa]
Lähde [muokkaa]
- Sähkötekniikka ja elektroniikka: Kimmo Silvonen, Otatieto 2003
