Ero sivun ”Douppaus” versioiden välillä

Wikipediasta
Siirry navigaatioon Siirry hakuun
[arvioimaton versio][arvioimaton versio]
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
SieBot (keskustelu | muokkaukset)
p Commons -> commonscat
MM82 (keskustelu | muokkaukset)
p kh
Rivi 8: Rivi 8:
== Douppaustekniikka ja -aineet ==
== Douppaustekniikka ja -aineet ==


Douppaus tapahtuu yleensä yksinkertaisten, puolimetalli- ja vetyatoimeista koostuvien kaasujen avulla, hajottamalla kaasu suljetussa kammiossa doupattavan aineen kanssa jolloin puolimetalliatomit laskeutuvat doupattavan aineen päälle. Tälläisiä kaasuja ovat muun muassa [[silaani]], [[arsiini]], [[seleenivety]] ja [[germaani (yhdiste)|germaani]].
Douppaus tapahtuu yleensä yksinkertaisten, puolimetalli- ja vetyatoimeista koostuvien kaasujen avulla, hajottamalla kaasu suljetussa kammiossa doupattavan aineen kanssa jolloin puolimetalliatomit laskeutuvat doupattavan aineen päälle. Tällaisia kaasuja ovat muun muassa [[silaani]], [[arsiini]], [[seleenivety]] ja [[germaani (yhdiste)|germaani]].


==Katso myös==
==Katso myös==

Versio 31. heinäkuuta 2009 kello 02.16

Eräs puolijohderakenne

Doping eli "douppaus" tarkoittaa puolijohteiden (puolijohdekomponettien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (esimerkiksi pii, germanium, seleeni, arseeni). Tällöin saadaan komponenttiin halutut sähköiset ominaisuudet.

Doupattujen atomien määrä, joka tarvitaan muuttamaan puolijohteen sähkönjohtavuutta on erittäin pieni. Kun suhteellisen pieni määrä doupattuja atomeja lisätään (1 jokaista 100,000,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan matala tai kevyt. Kun doupattuja atomeja lisätään huomattavasti enemmän (1 jokaista 10,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan raskas tai korkea. Tämä merkitään yleensä n+ n-tyypin doppaukselle ja p+ p-tyypin douppaukselle.

Puolijohdekomponentteja ovat muun muassa ledit, tyristorit, diodit ja transistorit joita sisältävät mikropiirit ovat mikroprosessori- ja tietokonetekniikan peruskomponentteja.

Douppaustekniikka ja -aineet

Douppaus tapahtuu yleensä yksinkertaisten, puolimetalli- ja vetyatoimeista koostuvien kaasujen avulla, hajottamalla kaasu suljetussa kammiossa doupattavan aineen kanssa jolloin puolimetalliatomit laskeutuvat doupattavan aineen päälle. Tällaisia kaasuja ovat muun muassa silaani, arsiini, seleenivety ja germaani.

Katso myös


Commons
Commons
Wikimedia Commonsissa on kuvia tai muita tiedostoja aiheesta Puolijohde.
Tämä tekniikkaan liittyvä artikkeli on tynkä. Voit auttaa Wikipediaa laajentamalla artikkelia.