Ero sivun ”Douppaus” versioiden välillä

Wikipediasta
Siirry navigaatioon Siirry hakuun
[arvioimaton versio][arvioimaton versio]
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
wikitystä
, Replaced: esim. → esimerkiksi AWB
Rivi 1: Rivi 1:
[[Kuva:MIOS esq.png|thumb|240px|right|Eräs puolijohderakenne]]
[[Kuva:MIOS esq.png|thumb|240px|right|Eräs puolijohderakenne]]
'''Doping''' eli "douppaus" tarkoittaa [[puolijohde|puolijohteiden]] (puolijohdekomponettien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (esimerkiksi [[pii]], [[germanium]]). Tällöin saadaan komponenttiin halutut [[sähkö]]iset ominaisuudet.

'''Doping''' eli "douppaus" tarkoittaa [[puolijohde|puolijohteiden]] (puolijohdekomponettien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (esim. [[pii]], [[germanium]]). Tällöin saadaan komponenttiin halutut [[sähkö]]iset ominaisuudet.


Doupattujen atomien määrä, joka tarvitaan muuttamaan puolijohteen sähkönjohtavuutta on erittäin pieni. Kun suhteellisen pieni määrä doupattuja atomeja lisätään (1 jokaista 100,000,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan matala tai kevyt. Kun doupattuja atomeja lisätään huomattavasti enemmän (1 jokaista 10,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan raskas tai korkea. Tämä merkitään yleensä n+ n-tyypin doppaukselle ja p+ p-tyypin douppaukselle.
Doupattujen atomien määrä, joka tarvitaan muuttamaan puolijohteen sähkönjohtavuutta on erittäin pieni. Kun suhteellisen pieni määrä doupattuja atomeja lisätään (1 jokaista 100,000,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan matala tai kevyt. Kun doupattuja atomeja lisätään huomattavasti enemmän (1 jokaista 10,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan raskas tai korkea. Tämä merkitään yleensä n+ n-tyypin doppaukselle ja p+ p-tyypin douppaukselle.
Rivi 9: Rivi 8:
==Katso myös==
==Katso myös==
* [[Piikiekko]]
* [[Piikiekko]]



{{Commons|Category:Semiconductors|Puolijohde}}
{{Commons|Category:Semiconductors|Puolijohde}}

[[Luokka:Puolijohteet]]
{{tynkä/Tekniikka}}
{{tynkä/Tekniikka}}

[[Luokka:Puolijohteet]]


[[de:Dotierung]]
[[de:Dotierung]]

Versio 20. elokuuta 2008 kello 17.24

Eräs puolijohderakenne

Doping eli "douppaus" tarkoittaa puolijohteiden (puolijohdekomponettien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (esimerkiksi pii, germanium). Tällöin saadaan komponenttiin halutut sähköiset ominaisuudet.

Doupattujen atomien määrä, joka tarvitaan muuttamaan puolijohteen sähkönjohtavuutta on erittäin pieni. Kun suhteellisen pieni määrä doupattuja atomeja lisätään (1 jokaista 100,000,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan matala tai kevyt. Kun doupattuja atomeja lisätään huomattavasti enemmän (1 jokaista 10,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan raskas tai korkea. Tämä merkitään yleensä n+ n-tyypin doppaukselle ja p+ p-tyypin douppaukselle.

Puolijohdekomponentteja ovat muun muassa ledit, tyristorit, diodit ja transistorit joita sisältävät mikropiirit ovat mikroprosessori- ja tietokonetekniikan peruskomponentteja.

Katso myös

Commons
Commons
Wikimedia Commonsissa on kuvia tai muita tiedostoja aiheesta Puolijohde.
Tämä tekniikkaan liittyvä artikkeli on tynkä. Voit auttaa Wikipediaa laajentamalla artikkelia.