Ero sivun ”Douppaus” versioiden välillä
[arvioimaton versio] | [arvioimaton versio] |
wikitystä |
, Replaced: esim. → esimerkiksi AWB |
||
Rivi 1: | Rivi 1: | ||
[[Kuva:MIOS esq.png|thumb|240px|right|Eräs puolijohderakenne]] |
[[Kuva:MIOS esq.png|thumb|240px|right|Eräs puolijohderakenne]] |
||
⚫ | |||
⚫ | |||
Doupattujen atomien määrä, joka tarvitaan muuttamaan puolijohteen sähkönjohtavuutta on erittäin pieni. Kun suhteellisen pieni määrä doupattuja atomeja lisätään (1 jokaista 100,000,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan matala tai kevyt. Kun doupattuja atomeja lisätään huomattavasti enemmän (1 jokaista 10,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan raskas tai korkea. Tämä merkitään yleensä n+ n-tyypin doppaukselle ja p+ p-tyypin douppaukselle. |
Doupattujen atomien määrä, joka tarvitaan muuttamaan puolijohteen sähkönjohtavuutta on erittäin pieni. Kun suhteellisen pieni määrä doupattuja atomeja lisätään (1 jokaista 100,000,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan matala tai kevyt. Kun doupattuja atomeja lisätään huomattavasti enemmän (1 jokaista 10,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan raskas tai korkea. Tämä merkitään yleensä n+ n-tyypin doppaukselle ja p+ p-tyypin douppaukselle. |
||
Rivi 9: | Rivi 8: | ||
==Katso myös== |
==Katso myös== |
||
* [[Piikiekko]] |
* [[Piikiekko]] |
||
{{Commons|Category:Semiconductors|Puolijohde}} |
{{Commons|Category:Semiconductors|Puolijohde}} |
||
⚫ | |||
{{tynkä/Tekniikka}} |
{{tynkä/Tekniikka}} |
||
⚫ | |||
[[de:Dotierung]] |
[[de:Dotierung]] |
Versio 20. elokuuta 2008 kello 17.24
Doping eli "douppaus" tarkoittaa puolijohteiden (puolijohdekomponettien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (esimerkiksi pii, germanium). Tällöin saadaan komponenttiin halutut sähköiset ominaisuudet.
Doupattujen atomien määrä, joka tarvitaan muuttamaan puolijohteen sähkönjohtavuutta on erittäin pieni. Kun suhteellisen pieni määrä doupattuja atomeja lisätään (1 jokaista 100,000,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan matala tai kevyt. Kun doupattuja atomeja lisätään huomattavasti enemmän (1 jokaista 10,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan raskas tai korkea. Tämä merkitään yleensä n+ n-tyypin doppaukselle ja p+ p-tyypin douppaukselle.
Puolijohdekomponentteja ovat muun muassa ledit, tyristorit, diodit ja transistorit joita sisältävät mikropiirit ovat mikroprosessori- ja tietokonetekniikan peruskomponentteja.