Ero sivun ”Douppaus” versioiden välillä
| [arvioimaton versio] | [arvioimaton versio] |
p luokitus |
p siirsi sivun ”Doping (puolijohdetekniikka)” uudelle nimelle ”Douppaus”: minä ole aina luullut että se on douppausta, eikä mitään hienostelevaa 'doping'-termiä edes käytetä |
(ei mitään eroa)
| |
Versio 20. tammikuuta 2007 kello 18.47
Doping eli "douppaus" tarkoittaa puolijohteiden (puolijohdekomponettien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (esim. pii, germanium). Tällöin saadaan komponenttiin halutut sähköiset ominaisuudet.
Doupattujen atomien määrä, joka tarvitaan muuttamaan puolijohteen sähkönjohtavuutta on erittäin pieni. Kun suhteellisen pieni määrä doupattuja atomeja lisätään (1 jokaista 100,000,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan matala tai kevyt. Kun doupattuja atomeja lisätään huomattavasti enemmän (1 jokaista 10,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan raskas tai korkea. Tämä merkitään yleensä n+ n-tyypin doppaukselle ja p+ p-tyypin douppaukselle.
Puolijohdekomponentteja ovat muun muassa ledit, tyristorit, diodit ja transistorit joita sisältävät mikropiirit ovat mikroprosessori- ja tietokonetekniikan peruskomponentteja.
