Ero sivun ”Douppaus” versioiden välillä
Siirry navigaatioon
Siirry hakuun
| [arvioimaton versio] | [arvioimaton versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
+Luokka:Elektroniikka |
Ei muokkausyhteenvetoa |
||
| Rivi 1: | Rivi 1: | ||
[[Kuva:MIOS esq.png|thumb|240px|right|Eräs puolijohderakenne]] |
|||
'''Doping''' eli "douppaus" tarkoittaa [[puolijohde|puolijohteiden]] (puolijohdekomponettien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (esim. [[pii]], [[germanium]]). Tällöin saadaan komponenttiin halutut [[sähkö]]iset ominaisuudet. |
'''Doping''' eli "douppaus" tarkoittaa [[puolijohde|puolijohteiden]] (puolijohdekomponettien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (esim. [[pii]], [[germanium]]). Tällöin saadaan komponenttiin halutut [[sähkö]]iset ominaisuudet. |
||
Versio 1. joulukuuta 2006 kello 03.26
Doping eli "douppaus" tarkoittaa puolijohteiden (puolijohdekomponettien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (esim. pii, germanium). Tällöin saadaan komponenttiin halutut sähköiset ominaisuudet.
Puolijohdekomponentteja ovat mm. ledit, tyristorit, diodit ja transistorit joita sisältävät mikropiirit ovat mikroprosessori- ja tietokonetekniikan peruskomponentteja.
