Ero sivun ”Flash-muisti” versioiden välillä
| [katsottu versio] | [katsottu versio] |
pEi muokkausyhteenvetoa |
p Botti lisäsi luokkaan Seulonnan_keskeiset_artikkelit |
||
| Rivi 30: | Rivi 30: | ||
[[Luokka:Muistit]] |
[[Luokka:Muistit]] |
||
[[Luokka:Puolijohteet]] |
[[Luokka:Puolijohteet]] |
||
[[Luokka:Seulonnan keskeiset artikkelit]] |
|||
Versio 3. helmikuuta 2015 kello 16.44
| Muistityypit |
| Haihtuvat muistityypit |
| Haihtumattomat muistityypit |
Flash-muisti on puolijohdemuisti, joka voidaan sähköisesti tyhjentää ja uudelleen ohjelmoida. Flash-muisti on haihtumaton muistityyppi, jossa tieto säilyy jopa 10 vuotta, vaikka virta kytkettäisiin poislähde?. Muistissa ei ole liikkuvia mekaanisia osia, joten se on käytettäessä äänetön.
Flash-muisteja käytetään yleensä laitteissa, joilta vaaditaan pientä kokoa, keveyttä ja vähäistä virrankulutusta, kuten kannettavissa MP3-soittimissa, matkapuhelimissa, digitaalikameroissa ja muistitikuissa. Flash-muistiin perustuvia piirejä käytetään myös kiintolevynä joissakin uusimmissa tietokoneissa (SSD, Solid state drive).
Flash-muistit sopivat parhaiten sovelluksiin, joissa muistista luetaan paljon, mutta sinne kirjoitetaan vähän. Siksi ne soveltuvat ohjelmamuisteiksi laitteisiin, joissa muistipiirille tallennettu ohjelma saatetaan päivittää myöhemmin.
Yksi bitin tilan tallentava muistialkio koostuu MOSFET-tyyppisestä rakenteesta, jossa tavanomaisen hilan lisäksi on oksidikerroksella eristetty, kelluva hila. Ohjelmoitaessa bitti 0 kelluvaan hilaan injektoidaan sähkövaraus, joka estää virran kulun. Jos varaus puretaan, kanavan johtavuus kasvaa, ja muistialkio saa arvon 1.[1]
Flash-muistien historia
Fujio Masuoka Toshiballa keksi sekä NOR- että NAND-flash-muistit 1980-luvun alussa[2]. Vuonna 2002 markkinoilla oli jo 1 Gbit kokoisia flash-muistipiirejä[3].
Flash-muistiin perustuvia tuotteita
Katso myös
Lähteet
- ↑ J. Mäntymaa: Haihtumattomat tallennusmenetelmät sulautetussa anturijärjestelmässä (pdf) (s. 11-20) Pro gradu tutkielma. 25.10.2006. Jyväskylä: Jyväskylän yliopisto, Tietotekniikan laitos. Viitattu 14.11.2011. suomi
- ↑ Toshiba, Inventor of FLASH Memory, 1987–2012; Toshiba
- ↑ World's First Commercial One Gbit NAND Flash Chip Using Multi-Level Cell Technology; SanDisk ja Toshiba, 12.11.2001