Ero sivun ”Puolijohde” versioiden välillä
| [arvioimaton versio] | [arvioimaton versio] |
| Rivi 9: | Rivi 9: | ||
==Puolijohdetyypit ja -komponentit== |
==Puolijohdetyypit ja -komponentit== |
||
''N-tyyppisiä puolijohteita'' saadaan |
''N-tyyppisiä puolijohteita'' saadaan seostamalla rakenteeseen atomeja (esimerkiksi [[arseeni|As]]), joilla on enemmän valenssielektroneja kuin isäntäatomeilla (tässä [[pii (alkuaine)|Si]]). Tällöin ylimääräiset elektronit voivat johtaa sähköä. |
||
''P-tyyppinen puolijohde'' saadaan lisäämällä rakenteeseen atomeja (esimerkiksi [[boori|B]]), jolla on vähemmän valenssielektroneja kuin isäntäatomeilla (tässä [[pii (alkuaine)|Si]]). Tällöin muodostuvat positiiviset [[Elektroni aukko|aukot]] toimivat |
''P-tyyppinen puolijohde'' saadaan lisäämällä rakenteeseen atomeja (esimerkiksi [[boori|B]]), jolla on vähemmän valenssielektroneja kuin isäntäatomeilla (tässä [[pii (alkuaine)|Si]]). Tällöin muodostuvat positiiviset [[Elektroni aukko|aukot]] toimivat varauksenkuljettajina. Piissä aukoilla on varauksenkuljettajina huonompi liikkuvuus kuin elektroneilla. |
||
Yhdistepuolijohteet ovat kahden tai useamman alkuaineen yhdisteitä, jotka yhdessä toimivat puolijohteena. Niitä käytetään usein [[LED]]eissä, koska niillä on mahdollista tuottaa ihmissilmälle näkyvän valon aallonpituuksia. Joistakin yhdistelmäpuolijohteista pystyy valmistamaan pii- ja germaniumpuolijohteita nopeampia transistoreita. Esimerkiksi [[galliumarsenidi]], [[galliumarsenidifosfidi]], [[galliumfosfidi]], [[galliumantimonidi]], [[indiumarsenidi]], [[indiumfosfidi]] ja [[indiumantimonidi]] ovat yhdistepuolijohteita. |
Yhdistepuolijohteet ovat kahden tai useamman alkuaineen yhdisteitä, jotka yhdessä toimivat puolijohteena. Niitä käytetään usein [[LED]]eissä, koska niillä on mahdollista tuottaa ihmissilmälle näkyvän valon aallonpituuksia. Joistakin yhdistelmäpuolijohteista pystyy valmistamaan pii- ja germaniumpuolijohteita nopeampia transistoreita. Esimerkiksi [[galliumarsenidi]], [[galliumarsenidifosfidi]], [[galliumfosfidi]], [[galliumantimonidi]], [[indiumarsenidi]], [[indiumfosfidi]] ja [[indiumantimonidi]] ovat yhdistepuolijohteita. |
||
Versio 19. elokuuta 2013 kello 10.07
 |
Tämän artikkelin tai sen osan paikkansapitävyys on kyseenalaistettu. Voit auttaa varmistamaan, että kyseenalaistetut väittämät ovat luotettavasti lähteistettyjä. Lisää tietoa saattaa olla keskustelusivulla. |
 |
Tähän artikkeliin tai osioon ei ole merkitty lähteitä, joten tiedot kannattaa tarkistaa muista tietolähteistä. Voit auttaa Wikipediaa lisäämällä artikkeliin tarkistettavissa olevia lähteitä ja merkitsemällä ne ohjeen mukaan. |
Puolijohde on materiaali, joka johtaa sähköä paremmin kuin eriste, mutta huonommin kuin metallit.[1] Se on kiinteä aine, jossa olennaisesti täynnä olevan valenssivyön ja tyhjän johtavuusvyön välinen energiaero on noin 1 eV.
Kiinteässä aineessa elektronit voivat olla joko valenssivyöllä tai johtavuusvyöllä. Näiden välissä on niin sanottu kielletty energiavyö, jossa elektronit eivät voi olla. Sähkövirran kuljetukseen osallistuvat vain elektronit, jotka ovat vajaasti täytetyllä vyöllä. Jos valenssivyö on täynnä, virtaa kuljettavat vain johtavuusvyöllä olevat elektronit. Puolijohteessa johtavuusvyö kylmässä on tyhjä, joten matalissa lämpötiloissa puolijohde toimii eristeenä, mutta huoneenlämmössä lämpövärähtelyt nostavat elektroneja valenssivyöstä johtavuusvyöhön ja puolijohde toimii johteena. Myös lisäämällä puolijohteeseen epäpuhtauksia voidaan sähkönjohtavuutta nostaa. Puolijohteita ovat puolimetalleiksi luokitellut alkuaineet ja useat niitä sisältävät yhdisteet. Teknisesti tärkeimmät puolijohteet ovat pii, germanium sekä jaksollisen järjestelmän III ja V ryhmän alkuaineiden yhdisteet (III-V -puolijohteet) kuten galliumarsenidi.
Puolijohteet ovat erittäin hyödyllisiä elektroniikassa, koska niiden ominaisuuksia voidaan muuttaa helposti lisäämällä aineeseen epäpuhtauksia pieninä määrinä. Nämä epäpuhtaudet lisäävät joko elektronien tai aukkojen määrää.
Puolijohdetyypit ja -komponentit
N-tyyppisiä puolijohteita saadaan seostamalla rakenteeseen atomeja (esimerkiksi As), joilla on enemmän valenssielektroneja kuin isäntäatomeilla (tässä Si). Tällöin ylimääräiset elektronit voivat johtaa sähköä.
P-tyyppinen puolijohde saadaan lisäämällä rakenteeseen atomeja (esimerkiksi B), jolla on vähemmän valenssielektroneja kuin isäntäatomeilla (tässä Si). Tällöin muodostuvat positiiviset aukot toimivat varauksenkuljettajina. Piissä aukoilla on varauksenkuljettajina huonompi liikkuvuus kuin elektroneilla.
Yhdistepuolijohteet ovat kahden tai useamman alkuaineen yhdisteitä, jotka yhdessä toimivat puolijohteena. Niitä käytetään usein LEDeissä, koska niillä on mahdollista tuottaa ihmissilmälle näkyvän valon aallonpituuksia. Joistakin yhdistelmäpuolijohteista pystyy valmistamaan pii- ja germaniumpuolijohteita nopeampia transistoreita. Esimerkiksi galliumarsenidi, galliumarsenidifosfidi, galliumfosfidi, galliumantimonidi, indiumarsenidi, indiumfosfidi ja indiumantimonidi ovat yhdistepuolijohteita.
Puolijohdekomponentteja: diodi, LED (valodiodi), transistori, tyristori, mikropiiri, diac, triac, aurinkokenno
Katso myös
Viitteet
- ↑ Rolf Enderlein & Norman J. M. Horing: Fundamentals Of Semiconductor Physics And Devices, s. 1. World Scientific, 1997. ISBN 9789810223878. (englanniksi)
Aiheesta muualla
Kuvia tai muita tiedostoja aiheesta Puolijohde Wikimedia Commonsissa
