High-k-eriste

Wikipedia
Loikkaa: valikkoon, hakuun

High-k-eriste on korkean (κ)-arvon omaava ohutkalvoeriste puolijohdekalvorakenteessa. k-arvolla tarkoitetaan dielektristä vakiota, joka on materiaalin suhteellinen permittiivisyys eli materiaalin permittiivisyyden suhde tyhjiön vastaavaan arvoon. Tyhjiön k-arvo on yksi. Puolijohdeteollisuuden kielenkäytössä high-k tarkoittaa korkeaa dielektristä vakiota verrattuna SiO2:iin, jota perinteisesti käytetään transistorien eristeenä CMOS-kalvorakenteessa. Pakkaustiheyden kasvaessa mikropiireillä alkaa vuotovirrasta tulla ongelma, minkä vuoksi piidioksidikalvo pitää korvata transistorirakenteessa paremmalla eristeellä. Uudessa 45 nanometrin prosessorisukupolvessa Intel on ottanut käyttöön hafniumyhdisteen tällaiseksi high-k-kalvoksi[1]. Ilmeisesti kyseessä on HfO2. Intel pitää kyseistä muutosta suurimpana muutoksena, mikä 40 vuoteen tehty CMOS-rakenteeseen ja auttaa Inteliä pitämään yhä Mooren lakia voimassa. Tarvittavan ohut ja tasainen hafniumoksidikalvo tehdään ALD-tekniikalla.[2]

Poikkileikkaus MOSFET-rakenteesta, jossa näkyy oksidieristekalvo

Aiheesta muualla[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Viitteet[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Tämä tekniikkaan liittyvä artikkeli on tynkä. Voit auttaa Wikipediaa laajentamalla artikkelia.