Silicon on insulator

Wikipedia
Loikkaa: valikkoon, hakuun

Silicon on insulator eli SOI on puolijohteiden valmistuksessa käytetty tekniikka, jossa substraatissa on pelkän piin sijasta tyypillisesti piidioksidista tai safiirista tehty eristekerros kahden piikerroksen välissä. Näin valmistettuun mikropiiriin muodostuvat loiskapasitanssit ovat piisubstraattiin verrattuna pienempiä, joten piirin tehonkulutus on matalampi.[1] IBM julkaisi ensimmäisen SOI-toteutuksen elokuussa 1998.

Viitteet[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

Tämä tekniikkaan liittyvä artikkeli on tynkä. Voit auttaa Wikipediaa laajentamalla artikkelia.