Elektronisuihkulitografia

Wikipedia
Loikkaa: valikkoon, hakuun

Elektronisuihkulitografiassa (Electron beam lithography, EBL) resisti valotetaan elektroneilla joko suorakirjoitus- tai projektiomenetelmällä. Suorakirjoituksessa resistin valotus tapahtuu piste kerrallaan sarjamuodossa, joten prosessi on joustava mutta hidas. Se tarjoaa erittäin hyvän resoluution, joka on parhailla laitteilla noin 20 nm. Käyttötarkoituksia suorakirjoitukselle ovat optisen litografian maskien teko sekä tutkimus-, tuotekehitysprosessit ja piensarjatuotanto. Projektioprosessissa resisti valotetaan pyyhkäisemällä elektronisuihkulla maskin yli rivi kerrallaan, ja se sopii käytettäväksi kun tuotantomäärät ovat liian pieniä optiseen litografiaan. Etuina suorakirjoitukseen nähden ovat nopeampi prosessi ja maskin kuvioiden skaalautuminen kuten optisessa projektiolitografiassa. Viivanleveys on pienimmillään noin 60 nm.

Elektronisuihkulitografiassa käytetään yleensä 2 tai 3 valotuspistettä rinnakkain ja osin päällekkäin varmistamaan kuvion onnistuminen. Elektronisuihkulitografian suurin ongelma on sen hitaus, mikä tekee siitä sopimattoman massatuotantoon. Ongelmana on myös elektronien siroamisesta johtuva valotuskuvion leviäminen resistissä. Kuva esittää elektronien sirontaa resistissä.

Lähteet[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]

  • Di Ventra, Massimiliano & Evoy, Stephane & Heflin, James R.: Introduction to nanoscale science and technology. Kluwer Academic Publishers, 2004.
  • Franssila, Sami: Introduction to microfabrication. Wiley, 2004.